Hochtransmissives und kratzfestes, Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung

Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S) mit folgenden transparenten Schichtanordnungen, vom Substrat (S) aufwärts betrachtet:- eine Grundschichtanordnung (GA) mit mindestens einer dielektrischen Grundschicht (GA1) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung,- eine Funktionsschichtanordnung (FA) mit mindestens einer metallischen Funktionsschicht (FAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung, mit einer direkt an die Funktionsschicht (FAF) angrenzenden und darunter angeordneten Keimschicht (FAK) zur Einstellung der opto-elektrischen Eigenschaften der Funktionsschicht mit intrinsischem oder dotiertem Zinkoxid als wesentlichem Bestandteil und mit einer direkt an die Funktionsschicht (FAF) angrenzenden und darüber angeordneten Blockerschicht (FAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon,- eine Deckschichtanordnung (DA) mit mindestens einer ersten dielektrischen Deckschicht (DAD) aus einem Siliziumoxinitrid- wobei die Deckschichtanordnung (DA) eine direkt über der ersten dielektrischen Deckschicht (DAD) angeordnete obere, dielektrische Deckschicht (DAO) aus Siliziumoxid umfasst- eine über der Deckschichtanordnung (DA) angeordnete Schutzschicht (SS) aus Titandioxid oder aus amorphem Titanoxinitrid,- wobei die Schutzschicht (SS) an die obere, dielektrische Deckschicht (DAO) angrenzt und- wobei die Schutzschicht (SS) eine Schichtdicke d im Bereich von 0 < d < 5 nm aufweist. It is given for its production an IR reflecting layer system on a transparent substrate S and a method of substrate S upward considered a base layer arrangement GA with at least one dielectric base layer comprises GAG. In the functional layer arrangement FA is at least one metallic functional layer FAF for IR reflection, with a directly arranged underneath seed layer FAK of intrinsic or doped zinc oxide and a directly overlying blocking layer FAB made of a metal, a metal mixture or metal alloy or of an oxide, nitride, or oxynitride thereof. ; The layer system is completed by a cover layer arrangement DA having a dielectric top layer of a silicon oxynitride DAD and arranged on the cover layer arrangement DA protective layer SS of titanium dioxide or amorphous titanium oxynitride.