Optoelektronisches Halbleiterbauelement

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer Halbleiterschicht (21) und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei - der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; - auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; - die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; - die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und - die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt. An optoelectronic semiconductor device has a semiconductor body including a semiconductor layer sequence with an active region that generates radiation, a semiconductor layer and a further semiconductor layer, wherein the active region is arranged between the semiconductor layer and the further semiconductor layer, a current spreading layer is arranged on a radiation exit face of the semiconductor body, the current spreading layer connects electrically conductively with a contact structure for external electrical contacting of the semiconductor layer, in a plan view of the semiconductor device the current spreading layer adjoins the semiconductor layer in a connection region, and the current spreading layer includes a patterning with a plurality of recesses through which radiation exits the semiconductor device during operation.