Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Glassubstrat, sowie Halbleiterbauelement

Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einer Metallschicht eines Trägersubstrats, umfassend:Bereitstellen eines Halbleiterchips (110), der eine erste Seite (111), eine zweite Seite (112) gegenüber der ersten Seite (111), ein Glassubstrat (140), das an die zweite Seite (112) des Halbleiterchips (110) gebondet ist und mindestens eine Öffnung (141) aufweist, die einen Bereich der zweiten Seite (112) des Halbleiterchips (110) vom Glassubstrat (140) unbedeckt lässt, und ein Metallisierungsgebiet (119), das in der Öffnung (141) des Glassubstrats (140) angeordnet ist und die zweite Seite (112) des Halbleiterchips (110) elektrisch kontaktiert, aufweist, wobei das Glassubstrat (140) eine gegebene Dicke aufweist, die größer als eine Dicke des Metallisierungsgebiets (119) ist, so dass die Öffnung (141) im Glassubstrat (140) nicht vollständig mit dem Metallisierungsgebiet (119) gefüllt ist;Bereitstellen eines Trägersubstrats (150), das eine Metallschicht (151) aufweist,Aufbringen eines elektrisch leitenden Bondmaterials (152) auf die Metallschicht (151) des Trägersubstrats (150) und/oder das Metallisierungsgebiet (119) in der Öffnung (141) des Glassubstrats (140);Platzieren des Halbleiterchips (110) mit dem gebondeten Glassubstrat (140) auf die Metallschicht (151) des Trägersubstrats (150), wobei das elektrisch leitende Bondmaterial (152) zwischen dem Metallisierungsgebiet (119) und der Metallschicht (151) angeordnet ist; undAusbilden einer festen mechanischen und elektrischen Verbindung zwischen der Metallschicht (151) und dem Metallisierungsgebiet (119) durch das elektrisch leitende Bondmaterial (152). A method for manufacturing semiconductor devices is disclosed. A semiconductor wafer is provided having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A first glass substrate is provided which has at least one of cavities and openings at the bonding surface. The first glass substrate is bonded to the first surface of the semiconductor wafer such that the metal pads are arranged within respective cavities or openings of the first glass substrate. The second surface of the semiconductor wafer is machined. At least one metallisation region is formed on the machined second surface of the semiconductor wafer.