Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Glassubstrat

Ein Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips (110) mit einer Metallschicht (119) eines Trägersubstrats (151) wird offenbart. Ein Halbleiterchip (110) wird bereitgestellt, der eine erste Seite (111), eine zweite Seite (112) gegenüber der ersten Seite (111), ein Glassubstrat (140), das an die zweite Seite (112) des Halbleiterchips (110) gebondet ist und mindestens eine Öffnung (141) enthält, die einen Bereich der zweiten Seite (112) des Halbleiterchips (110) vom Glassubstrat (140) unbedeckt lässt, und ein Metallisierungsgebiet (119), das in der Öffnung (141) des Glassubstrats (140) angeordnet ist und die zweite Seite (112) des Halbleiterchips (110) elektrisch kontaktiert, aufweist. Der Halbleiterchip (110) mit dem gebondeten Glassubstrat (140) wird auf eine Metallschicht (151) eines Trägersubstrats (150) aufgebracht. Zwischen der Metallschicht (151) des Trägersubstrats (150) und dem Metallisierungsgebiet (119) wird eine feste mechanische und elektrische Verbindung ausgebildet. A method for manufacturing semiconductor devices is disclosed. A semiconductor wafer is provided having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A first glass substrate is provided which has at least one of cavities and openings at the bonding surface. The first glass substrate is bonded to the first surface of the semiconductor wafer such that the metal pads are arranged within respective cavities or openings of the first glass substrate. The second surface of the semiconductor wafer is machined. At least one metallisation region is formed on the machined second surface of the semiconductor wafer.