Verfahren zur Klasseneinteilung von Licht emittierenden Halbleiterbauelementen und Bildsensoranwendung mit einem Bildsensor und einem Halbleiterbauelement

Verfahren zur Klasseneinteilung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) für eine Bildsensoranwendung, wobei das Halbleiterbauelement (301) als Lichtquelle für einen Bildsensor (302) eingerichtet ist, mit den Schritten:- Bereitstellung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301)...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kimme, Felix, Brick, Peter
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zur Klasseneinteilung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) für eine Bildsensoranwendung, wobei das Halbleiterbauelement (301) als Lichtquelle für einen Bildsensor (302) eingerichtet ist, mit den Schritten:- Bereitstellung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301),- Ermitteln zumindest eines der folgenden Parameter des vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement (301) im Betrieb mit einem Emissionsspektrum emittierten Lichts:R=∫qR(λ)⋅S(λ)dλ⋅texp,G=∫qG(λ)⋅S(λ)dλ⋅texp,B=∫qB(λ)⋅S(λ)dλ⋅texp,wobei qR(λ), qG(λ) und qB(λ) spektrale Empfindlichkeiten eines roten, grünen und blauen Farbkanals des Bildsensors (302) sind, S(λ) das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) ist, texpeine Belichtungszeit ist und λ eine Wellenlänge bezeichnet,- Einteilung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) in eine Klasse aus einer Gruppe von Klassen, die durch verschiedene Wertebereiche zumindest eines Parameters charakterisiert sind, der von zumindest einem der Parameter R, G und B abhängt. The invention relates to a method for classifying a light-emitting semiconductor component (301) for an image sensor application, wherein the semiconductor component (301) is designed as a light source for an image sensor (302), comprising the following steps: providing the light-emitting semiconductor component (301); determining at least one of the following parameters of the light emitted with an emission spectrum by the light-emitting semiconductor component (301) during operation: R=∫qR(λ)·S(λ)dλ·texp, G=∫qG(λ)·S(λ)dλ·texp, B=∫qB(λ)·S(λ)dλ·texp, wherein qR(λ), qG(λ), and qB(λ) are spectral sensitivities of a red, green, and blue color channel of the image sensor (302), S(λ) is the emission spectrum of the light-emitting semiconductor component (301), texp is an exposure time, and λ designates a wavelength; classifying the light-emitting semiconductor component (301) into a class from a group of classes, which are characterized by different value ranges of at least one parameter that depends on at least one of the parameters R, G, and B. The invention further relates to an image sensor application.