Verfahren zum Erzeugen einer freistehenden, abgeschirmten Metallelektrode durch einen Einzelmaskenprozess und ein Verfahren zum Freilegen einer Elektrodenspitze

Verfahren zum Herstellen einer freistehenden, abgeschirmten Metallelektrode, insbesondere Goldelektrode, durch einen Einzelmaskenprozess, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: - Bereitstellen eines Siliziumwafers (1), - Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (3), insbesondere einer Silizium...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Schulz, Kathrin, Lacher, Manfred, Steltenkamp, Siegfried, Schmitz, Sam, Peter, Holik
Format: Patent
Sprache:ger
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