Verfahren zum Erzeugen einer freistehenden, abgeschirmten Metallelektrode durch einen Einzelmaskenprozess und ein Verfahren zum Freilegen einer Elektrodenspitze

Verfahren zum Herstellen einer freistehenden, abgeschirmten Metallelektrode, insbesondere Goldelektrode, durch einen Einzelmaskenprozess, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: - Bereitstellen eines Siliziumwafers (1), - Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (3), insbesondere einer Silizium...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Schulz, Kathrin, Lacher, Manfred, Steltenkamp, Siegfried, Schmitz, Sam, Peter, Holik
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zum Herstellen einer freistehenden, abgeschirmten Metallelektrode, insbesondere Goldelektrode, durch einen Einzelmaskenprozess, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: - Bereitstellen eines Siliziumwafers (1), - Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (3), insbesondere einer Siliziumnitridschicht (3), auf eine Vorderseite (V) des Siliziumwafers (1), - Aufbringen einer inneren Metallverbundschicht (4) auf die erste Isolationsschicht (3) auf der Vorderseite (V) des Siliziumwafers, - Durchführen eines ersten Lithographieverfahrens auf der Vorderseite (V) und anschließend Durchführen eines ersten Ätzverfahrens zum Wegätzen von Teilen der inneren Metallverbundschicht (4) zum Herstellen von separierten Bereichen (5), insbesondere eines auskragenden Arms oder einer Sternstruktur der inneren Metallverbundschicht (4), - Durchführen eines zweiten Lithographieverfahrens auf einer Rückseite (R) und anschließend Durchführen eines zweiten Ätzverfahrens zum Wegätzen von Teilen des Siliziumwafers (1) zur Freistellung der separierten Bereiche (5) der inneren Metallverbundschicht (4), - Ummanteln der inneren Metallverbundschicht (4) mit einer leitfähigen Abschirmungsschicht (11), insbesondere aus einem Titan-Gold Metallverbund, - Einbringen eines Schnitts (12) quer durch die innere Metallverbundschicht (4) und die leitfähige Abschirmungsschicht (11), insbesondere anhand eines fokussierten Ionenstrahls (13).