Verfahren zur reaktiven Abscheidung von Schichten
Verfahren zur reaktiven Abscheidung von Oxinitrid- oder Oxicarbonitrid-Schichten von metallischen oder halbleitenden Materialien mittels Magnetronsputtern von einem längserstreckten Magnetron,- wobei der Fluss des Prozessgases des Sputterprozesses, welches die Reaktivgase Sauerstoff und Stickstoff a...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Verfahren zur reaktiven Abscheidung von Oxinitrid- oder Oxicarbonitrid-Schichten von metallischen oder halbleitenden Materialien mittels Magnetronsputtern von einem längserstreckten Magnetron,- wobei der Fluss des Prozessgases des Sputterprozesses, welches die Reaktivgase Sauerstoff und Stickstoff als erste und zweite Prozessgaskomponenten und ein Arbeitsgas als eine andere weitere Prozessgaskomponente umfasst, entlang des Racetracks (11) des Magnetrons (2) in Segment-Prozessgasflüsse mit zugehörigen Plasmazonensegmenten (10) geteilt ist,- wobei ein Segment-Prozessgasfluss aus den Gasflüssen der Prozessgaskomponenten in dem jeweiligen Plasmazonensegment (10) gebildet wird, und- die Prozessgaskomponenten über zumindest zwei parallel nebeneinander in Längserstreckung des Magnetron angeordnete Gaskanäle (6), von denen zumindest einer mittels Gaskanalsegmenten (7) segmentiert ausgebildet ist, in einen Prozessraum eingelassen werden, dadurch gekennzeichnet, dass- mindestens die erste und zweite Prozessgaskomponente miteinander vermischt mittels eines einteiligen oder segmentierten Gaskanals (6) entlang des längserstreckten Magnetrons (2) zugeführt werden, so dass das Gasmengenverhältnis dieser mindestens zwei Prozessgaskomponenten in dem Gaskanal (6) entlang des längserstreckten Magnetrons (2) gleich ist und- dass die Segment-Prozessgasflüsse mittels Gasflüsse der über die Gaskanalsegmente (7) eines anderen segmentierten Gaskanals (6) zugeführten anderen weiteren Prozessgaskomponente segmentweise so eingestellt werden, dass die Plasmazonensegmentstöchiometrie jedes, dem Segment-Prozessgasflusses entsprechenden, Racetrackteils gleich ist oder sich die Plasmazonensegmentstöchiometrien der, den Segment-Prozessgasflüssen entsprechenden, Racetrackteile auf eine vordefinierte Weise unterscheiden. |
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