Halbleiter-Gassensor

Halbleiter-Gassensor (10) mit einem monolithisch in einen Halbleiterkörper (20) integrierten MOS-Transistor und einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers (20) ausgebildeten Passivierungsschicht (30), und einer oberhalb der Passivierungsschicht (30) ausgebildeten Steuerelektrode, wobei die Steuer...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Zimmer, Hans-Günter
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Halbleiter-Gassensor (10) mit einem monolithisch in einen Halbleiterkörper (20) integrierten MOS-Transistor und einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers (20) ausgebildeten Passivierungsschicht (30), und einer oberhalb der Passivierungsschicht (30) ausgebildeten Steuerelektrode, wobei die Steuerelektrode als eine erste Platte (40) eines Kondensators ausgebildet ist, und der MOS-Transistor (25) einen Kanalbereich und eine unmittelbar oberhalb des Kanalbereichs ausgebildete Gate Elektrode (50) aufweist, wobei die Gate Elektrode (50) über Via-Verbindungen (65) mit einer zweiten Platte (60) des Kondensators verschaltet ist, um durch die kapazitive Verkopplung der Platten (40, 60) den Kanalbereich (45) mittels der Steuerelektrode zu steuern, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Platte (60) mit der Gate Elektrode (50) eine elektrische Verbindung aufweist und zusätzlich zu den Via-Verbindungen (65) ein Teil (70) der elektrischen Verbindung oberhalb der Passivierungsschicht (30) ausgebildet ist, um eine Schädigung des MOS-Transistors (25) während des Herstellungsprozesses zu verringern.