Präzisionsstrombegrenzung und Überstromabschaltung zum Schutz eines monolithisch integrierten Treibers mittels einer adapiven Referenzerzeugung

Ausgangstreiberschaltung a. wobei ein Treibertransistor (D, LSD) über einem ersten gemeinsamen Anschluss (A), der Source oder Drain des Treibertransistors (D, LSD) ist, mit einer Sense-Stufe (SENSE) verbunden ist und b. wobei der Treibertransistor (D, LSD) über einem zweiten gemeinsamen Anschluss (B...

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1. Verfasser: Kapoor, Niron
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ausgangstreiberschaltung a. wobei ein Treibertransistor (D, LSD) über einem ersten gemeinsamen Anschluss (A), der Source oder Drain des Treibertransistors (D, LSD) ist, mit einer Sense-Stufe (SENSE) verbunden ist und b. wobei der Treibertransistor (D, LSD) über einem zweiten gemeinsamen Anschluss (B), der Drain oder Source des Treibertransistors (D, LSD) ist und nicht identisch zum ersten gemeinsamen Anschluss (A) ist, ebenfalls mit der Sense-Stufe (SENSE) verbunden ist und c. wobei das Gate (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) ebenfalls mit der Sense-Stufe (SENSE) verbunden ist und d. wobei die Sense-Stufe (SENSE) von einem Sense-Strom (ISENSE) zwischen dem ersten gemeinsamen Anschluss (A) und dem zweiten gemeinsamen Anschluss (B) durchflossen wird und e. wobei Sense-Stufe (SENSE) und Treibertransistor (D, LSD) ein gemeinsames Bezugspotenzial (GND) aufweisen und f. wobei die Sense-Stufe (SENSE) in Abhängigkeit vom Sense-Strom (ISENSE) und in Abhängigkeit von dem Gate-Potenzial des Gates (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) ein Sense-Signal (V1) erzeugt und g. wobei eine Referenzstufe (REF) ein Referenzsignal (Vref) erzeugt und h. wobei ein Controller (CTR) das Referenzsignal (Vref) und das Sense-Signal (V1) durch Differenzbildung vergleicht und ein Regelsignal (Vreg) erzeugt und i. wobei die Verstärkung des Controllers (CTR) nach Betrag und Vorzeichen so gewählt ist, dass sich Stabilität ergibt und j. wobei ein erster Eingang des Controllers (CTR) mit dem Sense-Signal (V1) verbunden ist und k. wobei ein zweiter Eingang des Controllers (CTR) mit dem Referenz-Signal (VREF) verbunden ist und l. wobei dass Gate-Potenzial des Gates (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) von dem Regelsignal (Vreg) abhängt und m. wobei die Referenzstufe (REF) mit dem Gate (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) verbunden ist und n. wobei das Referenzsignal (VREF) von dem Potenzial des Gates (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) abhängt und o. wobei eine Änderung des Gate-Potenzials des Gates (GD, GLSD) des Treibertransistors (D, LSD) zu einer Spannungsänderung des Referenzsignals (VREF) führt, die der Spannungsänderung des Sense-Signals (V1) entgegengesetzt ist gekennzeichnet dadurch, p. dass die Sense-Stufe (SENSE) durch die Serienschaltung eines Sense-Transistors (MSENSE) mit einem dritten Transistor (M3) gebildet wird und ...