Schaltungsträger mit einem sinterverbundenenen Halbleiterbaustein

Die Erfindung betrifft einen Schaltungsträger. Der Schaltungsträger weist einen insbesondere massiv ausgebildeten Halbleiterbaustein auf. Der Halbleiterbaustein weist wenigstens einen elektrischen Anschluss auf. Bevorzugt bildet der elektrische Anschluss einen Oberflächenbereich des Halbleiterbausteins. Der Anschluss ist mittels wenigstens eines gesinterten elektrischen Verbindungsmittels mit einem elektrischen Kontakt verbunden. Der Kontakt und der Halbleiterbaustein bilden jeweils einen Fügepartner für das gesinterte Verbindungsmittel. Erfindungsgemäß ist das Verbindungsmittel zwischen dem Anschluss und dem Kontakt durch wenigstens zwei in ihrer flachen Erstreckung einander kontaktierenden Sinterschichten gebildet. Ein thermischer Ausdehnungskoeffizient wenigstens einer der Sinterschichten oder aller Sinterschichten liegt bevorzugt zwischen dem Ausdehnungskoeffizienten des Fügepartners und dem Ausdehnungskoeffizienten der zu der Sinterschicht benachbarten Sinterschicht.