Spiegel für eine mikrolithographische Projektionslichtungsanlage sowie Verfahren zur Bearbeitung eines Spiegels

Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit* einem Spiegelsubstrat (11, 21, 31, 41); und* einem Vielfachschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schuster, Karl-Heinz
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES HOLOGRAPHY IRRADIATION DEVICES MATERIALS THEREFOR NUCLEAR ENGINEERING NUCLEAR PHYSICS OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOTOTHERWISE PROVIDED FOR
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit* einem Spiegelsubstrat (11, 21, 31, 41); und* einem Vielfachschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge der Projektionsbelichtungsanlage;* wobei das Vielfachschichtsystem eine Mehrzahl von Reflexionsschichtstapeln (16a, 16b, 16c, 26a, 26b) aufweist, zwischen denen jeweils eine Trennschicht (15a, 15b, 15c, 25a) angeordnet ist;* wobei diese Trennschicht (15a, 15b, 15c, 25a) aus einem Material hergestellt ist, welches eine Schmelztemperatur im Bereich von 80°C bis 400°C besitzt;* wobei die Trennschicht (15a, 15b, 15c, 25a) eine Schichtdicke von wenigstens 5µm aufweist.