Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung miteinem Gehäuse (1),einer Eingangsanpassschaltung (4) und einer Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1) undeiner Mehrzahl von Transistorchips (6) zwischen der Eingangsanpassschaltung (4) und der Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1),wobei jeder Transistorchip (...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: Kunii, Tetsuo, Tsuji, Seiichi, Koyanagi, Motoyoshi
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleitervorrichtung miteinem Gehäuse (1),einer Eingangsanpassschaltung (4) und einer Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1) undeiner Mehrzahl von Transistorchips (6) zwischen der Eingangsanpassschaltung (4) und der Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1),wobei jeder Transistorchip (6) ein rechteckiges Halbleitersubstrat (8) mit langen Seiten und kurzen Seiten, die kürzer als die langen Seiten sind, sowie eine Gateelektrode (9), eine Drainelektrode (10) und eine Sourceelektrode (11) auf dem Halbleitersubstrat (8) enthält,die Gateelektrode (9) eine Mehrzahl von Gatefingern (9a), die entlang der langen Seiten des Halbleitersubstrats (8) angeordnet sind, und eine Gateanschlussfläche (9b) enthält, die mit der Mehrzahl von Gatefingern (9a) gemeinsam verbunden ist und die über einen Draht (12) mit der Eingangsanpassschaltung (4) verbunden ist,die Drainelektrode (10) über einen Draht (13) mit der Ausgangsanpassschaltung (5) verbunden ist unddie langen Seiten der Halbleitersubstrate (8) der Mehrzahl von Transistorchips (6) schräg zu einer Eingangs/Ausgangs-Richtung von der Eingangsanpassschaltung (4) zu der Ausgangsanpassschaltung (5) sind. A semiconductor device includes: a package; an input matching circuit and an output matching circuit in the package; and transistor chips between the input matching circuit and the output matching circuit in the package. Each transistor chip includes a semiconductor substrate having long sides and short sides that are shorter than the long sides, and a gate electrode, a drain electrode and a source electrode on the semiconductor substrate. The gate electrode has gate fingers arranged along the long sides of the semiconductor substrate and a gate pad commonly connected to the gate fingers and connected to the input matching circuit via a first wire. The drain electrode is connected to the output matching circuit via a second wire. The long sides of the semiconductor substrates of the transistor chips are oblique with respect to an input/output direction extending from the input matching circuit to the output matching circuit.