Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur

Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur in einem Spalt zwischen einem unteren und einem oberen Poliertuch einer Poliervorrichtung unter Zuführen eines Poliermittels, wobei das untere Poliertuch einen unteren Polierteller und das obere Poliertuch einen oberen Polierteller bedeckt und die Polierteller und die Poliertücher einen inneren Rand und einen äußeren Rand aufweisen, umfassend das Abrichten eines oder erst des einen und anschließend des anderen Poliertuchs mit einem Abrichtwerkzeug, wobei der Polierteller, der mit dem abzurichtenden Poliertuch bedeckt ist, gedreht wird und das Abrichtwerkzeug derart im Spalt gelagert ist, dass es sich vom inneren bis zum äußeren Rand des abzurichtenden Poliertuchs erstreckt; und das Polieren von Halbleiterscheiben im Spalt nach dem Abrichten, dadurch gekennzeichnet, dass sich beim Abrichten der Abstand des Abrichtwerkzeugs zum Poliertuch, das dem abzurichtenden Poliertuch gegenüberliegt, am inneren Rand dieses Poliertuchs unterscheidet vom entsprechenden Abstand am äußeren Rand dieses Poliertuchs. A method of polishing a semiconductor wafer includes simultaneous double-side polishing the wafer in a gap of a polishing device between a lower polishing plate covered with a lower polishing pad and upper polishing plate covered with an upper polishing pad while supplying a polishing agent. A first of the upper and lower polishing pads is dressed using a dressing tool. The dressing tool is mounted in the gap so that it extends from the inner edge to the outer edge of the first polishing pad. The distance between the dressing tool and a second of the upper and lower polishing pads at the inner edge of the second polishing pad differs from a corresponding distance at the outer edge of the second polishing pad. After the dressing, the at least one semiconductor wafer in the gap is polished.