Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung

Die Erfindung schaff einen Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger ein Graphitmaterial (14) mit einem ausgesparten Abschnitt (14a) zum Aufnehmen des Substrats, eine Mehrschichtlage, die auf dem ausgesparten Abschnitt (14a) ausgebildet ist und die aus einer ersten Entgasungsverhinderungslage (16) aus SiC und aus einer ersten Sublimationsverhinderungslage (18) aus TaC oder HfC, die aufeinander geschichtet sind, besteht, und eine zweite Entgasungsverhinderungslage (20) aus SiC, die auf den von dem ausgesparten Abschnitt (14a) verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials (14) ausgebildet ist, enthält. A substrate support for supporting a substrate when forming a film on a surface of the substrate by chemical vapor deposition. The substrate support includes a graphite material having a recessed portion for accommodating the substrate, a multilayer film on the recessed portion and consisting of a first degassing prevention film of SiC and a sublimation prevention film of TaC or HfC stacked together, and a second degassing prevention film of SiC located on portions of the graphite material other than the recessed portion.