VERFAHREN ZUM FREILEGEN EINER SCHICHT

Verfahren zum Freilegen einer in einem Substrat (10, 10') vergrabenen Schicht (18, 18') über einen Graben (12, 12') mit isolierter Seitenwand (12s, 12s') und isoliertem Boden (12b, 12b`) mit anschließender Kontaktierung der freigelegten Schicht mittels einer vertikalen elektrischen Verbindung, mit den Schritten:Aufbringen (100) eines Oxids (20) auf das Substrat (10, 10') zumindest in einem Bereich des Grabens (12, 12'), sodass das Oxid (20) von einer Kante (12k, 12k`) des Grabens (12, 12') in den Graben (12, 12') hineinragt;anisotropisches Ätzen (110) zumindest des isolierten Bodens (12b, 12b`) des Grabens (12, 12'), wobei die isolierte Seitenwand (12s, 12s') durch das in den Graben (12, 12') hineinragende Oxid (20) geschirmt wird; undErzeugen (120) einer Kontaktierungsschicht (22, 22') auf der isolierten Seitenwand (12s, 12s`), so dass die Kontaktierungsschicht (22, 22') mit der Schicht (18, 18') in Berührung steht und sich die Kontaktierungsschicht (22, 22') von einem ersten Hauptoberflächenbereich (10o, 10o') des Substrats (10, 10') entlang der Seitenwand (12s, 12s') bis zu der Schicht (18, 18') erstreckt;wobei das Verfahren nach dem Erzeugen (120) der Kontaktierungsschicht (22, 22') das Aufbringen eines zweiten Isolations-Oxids (32, 32') auf die Kontaktierungsschicht (22, 22') aufweist, wobei das zweite Isolations-Oxid (32, 32') an der Seitenwand (12s, 12s') und dem Boden (12b, 12b`) angelagert ist. A method for exposing a layer buried in a substrate via a trench having an insulated lateral wall and an insulated floor includes the steps of applying an oxide onto the substrate and anisotropic etching. Applying the oxide onto the substrate takes place at least in a region of the trench such that the oxide protrudes from an edge of the trench into the trench. The protruding oxide shields the insulated lateral wall of the trench when anisotropically etching at least the insulated floor of the trench.