Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe

Verfahren zum Polieren mindestens einer Scheibe (5) aus Halbleitermaterial mit einer Vorder- und einer Rückseite, umfassendmindestens einen ersten Polierschritt,bei dem die Scheibe (5) aus Halbleitermaterial simultan beidseitig auf der Vorderseite und auf der Rückseite zwischen einem oberen und einem unteren Polierteller (8),die jeweils mit einem Poliertuch (1) mit einer Härte von mindestens 80° Shore A, einer Kompressibilität von weniger als 2,5% und einer Dicke im Bereich von 0,5 bis 1,0 mm belegt sind, poliert wird, und bei dem der Abstand zwischen der oberen und der unteren, mit der zu polierenden Scheibe in Kontakt kommenden Oberfläche (2) der Poliertücher (1) einen Polierspalt bildet,und bei dem sich dieser Polierspalt vom inneren Rand (B) des Poliertuches (1) bis zum äußeren Rand (A) des Poliertuches (1) erstreckt,wobei vor dem Polieren ein erstes Tuchdressing durchgeführt wird, damit beim Polieren die Höhe des Polierspaltes am äußeren Rand (A) niedriger ist als am inneren Rand (B). The method involves providing a disk (5) made of semiconductor material on both front and rear sides between upper and lower polishing plates (8) that are supported with hard and light compressible polishing cloth (1). Distance between the upper and lower polishing plates, and an upper surface (2) of the polishing cloth stays in contact with disk to be polished. A polishing gap extends from an inner edge of the polishing cloth to an outer edge of the polishing cloth, where height of the polishing gap at the inner edge differs from a height of the polishing gap at the outer edge.