Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren einen Metallfilm-Ausbildungsschritt des Ausbildens eines Metallfilms durch die folgenden Schritte aufweist: Erzeugen einer an ein Paar von Elektroden (21, 22), das eine Anode (22) und eine Kathode (21) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, anzulegenden Hochfrequenzspannung in einer Kammer (25) mit Absaugung durch eine Vakuumpumpe (26), um dadurch die Erzeugung eines Plasmas eines Sputtergases zwischen dem Paar von Elektroden (21, 22) zu bewirken; Zerstäuben eines auf der Kathode (21) platzierten Metallmaterials mit Ionen in dem erzeugten Plasma und Bewirken einer Abscheidung des zerstäubten Metallmaterials auf einem Siliziumkarbidwafer (10), der auf der Anode (22) so angeordnet ist, dass er dem Metallmaterial gegenüberliegt,wobei in dem Metallfilm-Ausbildungsschritt der Metallfilm unter der Randbedingung ausgebildet wird, dass eine Auftreffenergie beim Auftreffen des Metallmaterials und des Sputtergases auf den Siliziumkarbidwafer (10) niedriger ist als eine Bindungsenergie des Siliziumkarbids,wobei in dem Metallfilm-Ausbildungsschritt der Metallfilm ausgebildet wird, während das Sputtergas von einem Edelgas mit einer kleinen Masse zu einem Edelgas mit einer großen Masse umgewechselt wird. A target made of a metal material is sputtered to form a metal film on a silicon carbide wafer. At this time, the metal film is formed under a condition that an incident energy of incidence, on the silicon carbide wafer, of the metal material sputtered from the target and a sputtering gas flowed in through a gas inlet port is lower than a binding energy of silicon carbide, and more specifically lower than 4.8 eV. For example, the metal film is formed while a high-frequency voltage applied between a cathode and an anode is set to be equal to or higher than 20V and equal to or lower than 300V.