Kratzfestes Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung

Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S) mit folgenden transparenten Schichtanordnungen, vom Substrat (S) aufwärts betrachtet:- eine Grundschichtanordnung (GA) mit mindestens einer dielektrischen Grundschicht (GA1) aus einem Nitrid, Oxid od...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Berendt, Markus, Köckert, Christoph
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL GLASS INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS SURFACE TREATMENT OF GLASS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S) mit folgenden transparenten Schichtanordnungen, vom Substrat (S) aufwärts betrachtet:- eine Grundschichtanordnung (GA) mit mindestens einer dielektrischen Grundschicht (GA1) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung,- eine Funktionsschichtanordnung (FA) mit mindestens einer metallischen Funktionsschicht (FAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung, mit einer Keimschicht (FAK) aus intrinsischem oder dotiertem Zinkoxid zur Einstellung der opto-elektrischen Eigenschaften der Funktionsschicht und mit einer zwischen der Funktionsschicht (FAF) und der Keimschicht (FAK) angeordneten und direkt unter der Funktionsschicht (FAF) angeordneten unteren Blockerschicht (FAUB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung,- eine Deckschichtanordnung (DA) mit mindestens einer ersten dielektrischen Deckschicht (DA1) aus Siliziumoxinitrid mit einem Brechungsindex von 1,8 ± 0,1 bei einer Wellenlänge von 550 nm,- wobei direkt über der metallischen Funktionsschicht (FAF) eine obere Blockerschicht (FAOB) aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid eines Metalls, einer Metallmischung oder Metalllegierung und direkt über der oberen Blockerschicht (FAOB) eine Interface-Schicht (FAIS) aus intrinsischem Zinkoxid oder dotiertem Zinkoxid oder Zinkstannat angeordnet ist.