Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; un...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Irsigler, Peter Schulze, Hans-Joachim |
| description | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt.
A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102013111135B4</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102013111135B4</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102013111135B43</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNij0OgkAUBrexMOodXmNJwrp6ARWyByDGjjzk20h8rGR_Gk8vBaWF00wmmbW63xAcPwM8ffJIFiEmiMyJwSOSZekEQ0LoOEMwwqdI2fdUQ3o4h1cqfk1btXIsEbvFG7Wvq-ZiC0zvFnHiBzxSe610eSi10TPmdD6af78v3QI8oQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement</title><source>esp@cenet</source><creator>Irsigler, Peter ; Schulze, Hans-Joachim</creator><creatorcontrib>Irsigler, Peter ; Schulze, Hans-Joachim</creatorcontrib><description>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt.
A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.</description><language>ger</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220505&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102013111135B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220505&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102013111135B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Irsigler, Peter</creatorcontrib><creatorcontrib>Schulze, Hans-Joachim</creatorcontrib><title>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement</title><description>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt.
A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNij0OgkAUBrexMOodXmNJwrp6ARWyByDGjjzk20h8rGR_Gk8vBaWF00wmmbW63xAcPwM8ffJIFiEmiMyJwSOSZekEQ0LoOEMwwqdI2fdUQ3o4h1cqfk1btXIsEbvFG7Wvq-ZiC0zvFnHiBzxSe610eSi10TPmdD6af78v3QI8oQ</recordid><startdate>20220505</startdate><enddate>20220505</enddate><creator>Irsigler, Peter</creator><creator>Schulze, Hans-Joachim</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220505</creationdate><title>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement</title><author>Irsigler, Peter ; Schulze, Hans-Joachim</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102013111135B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2022</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Irsigler, Peter</creatorcontrib><creatorcontrib>Schulze, Hans-Joachim</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Irsigler, Peter</au><au>Schulze, Hans-Joachim</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement</title><date>2022-05-05</date><risdate>2022</risdate><abstract>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt.
A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | ger |
| recordid | cdi_epo_espacenet_DE102013111135B4 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-20T16%3A42%3A15IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Irsigler,%20Peter&rft.date=2022-05-05&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102013111135B4%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |