Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Feldeffekt-Halbleiterbauelement

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt. A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.