Verfahren zur Regelung eines Magnetronsputter-Prozesses

Verfahren zur Regelung eines Gasflusses in einem Magnetronsputter-Prozess in einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einem Vakuumraum, in dem ein Magnetron angeordnet ist und bei dem ein Prozessgas eingeleitet wird, wobei das Prozessgas aus einem ersten Prozessgasteil und zumindest einem zweiten Prozess...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Linß, Volker
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zur Regelung eines Gasflusses in einem Magnetronsputter-Prozess in einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einem Vakuumraum, in dem ein Magnetron angeordnet ist und bei dem ein Prozessgas eingeleitet wird, wobei das Prozessgas aus einem ersten Prozessgasteil und zumindest einem zweiten Prozessgasteil gebildet wird, bei dem mittels eines Massenspektrometers eine Regelgröße aus mindestens zwei an dem Prozess beteiligten Materialien ermittelt wird und bei dem die Regelgröße aus der Vakuumkammer als Regelstrecke in einem Messglied erfasst und in einer Recheneinheit derart verarbeitet wird, dass entsprechend einer Regelabweichung die dem Magnetronsputter-Prozess zugeführte Menge eines Prozessgasteils eingestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ermittlung der Regelgröße ein Partialdruck eines ersten Prozessgasteils und ein Partialdruck zumindest eines zweiten Prozessgasteils gemessen wird, wobei daraus ein Rechenwert gebildet wird, der als die Regelgröße zur Regelung eines Prozessgasanteilflusses als Stellgröße verwendet wird.