Verfahren zum Betreiben einer elektrischen Schaltung sowie elektrische Schaltung

Es wird ein Verfahren zum Betreiben einer elektrischen Schaltung beschrieben, bei der ein modularer Schalter (21) mit vier Leistungshalbleiterbauelementen und einem Kondensator vorhanden sind. Bei dem Verfahren werden entweder das erste und zweite Leistungshalbleiterbauelement (V1, V2) beide leitend geschaltet und das dritte und vierte Leistungshalbleiterbauelement (V3, V4) beide sperrend gesteuert, so dass ein Strom (i) von dem ersten Anschluss (24) über das erste Leistungshalbleiterbauelement, über den Kondensator (C) und über das zweite Leistungshalbleiterbauelement zu dem zweiten Anschluss (25) fließt oder es werden das dritte und vierte Leistungshalbleiterbauelement (V3, V4) beide leitend geschaltet und das erste und zweite Leistungshalbleiterbauelement (V1, V2) beide sperrend gesteuert, so dass der Strom (i) in umgekehrter Richtung von dem zweiten Anschluss (25) über das vierte Leistungshalbleiterbauelement, über den Kondensator (C) und über das dritte Leistungshalbleiterbauelement zu dem ersten Anschluss (24) fließt. Described herein is a method for operating an electrical circuit, wherein a modular switch (21) comprising four power semiconductor components and one capacitor is provided. With this method, either both the first and the second power semiconductor components (V1, V2) are switched so as to be conducting, and both the third and the fourth power semiconductor components (V3, V4) are controlled so as to be blocking, so that a current (i) flows from the first connection (24) across the first power semiconductor component, across the capacitor (C) and across the second power semiconductor component to the second connection (25), or both the third and fourth power semiconductor components (V3, V4) are switched so as to be conducting, and both the first and the second power semiconductor components (V1, V2) are controlled so as to be blocking, so that the current (i) flows in reverse direction from the second connection (25) across the fourth power semiconductor component, across the capacitor (C) and across the third power semiconductor component to the first connection (24).