HALBLEITERGEHÄUSEVORRICHTUNG, HALBLEITER-WAFER-LEVEL-PACKAGE-VORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN ZUM FERTIGEN EINES WAFER-LEVEL-PACKAGE

Halbleitergehäusevorrichtung (100), umfassend:ein Halbleitersubstrat (103) mit einer ersten Oberfläche (118) und einer zweiten Oberfläche (120), wobei das Halbleitersubstrat (103) mehrere integrierte Schaltungen (105) enthält, die proximal zu der ersten Oberfläche (118) ausgebildet sind, und eine Vielzahl von über der ersten Oberfläche (118) angeordneten Anbringungshöckern (110), wobei das Halbleitersubstrat (103) eine erste Breite (W1) aufweist;ein erstes passives Energiebauteil (106), das über der zweiten Oberfläche (120) angeordnet ist, wobei das erste passive Energiebauteil (106) eine erste Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) mit einer nicht kugeligen Querschnittsform und eine zweite Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) mit einer nicht kugeligen Querschnittsform umfasst;ein zweites passives Energiebauteil (108), das über der zweiten Oberfläche (120) angeordnet ist, wobei das zweite passive Energiebauteil (108) eine dritte Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) mit einer nicht kugeligen Querschnittsform und eine vierte Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) mit einer nicht kugeligen Querschnittsform umfasst, wobei die Vielzahl der Anbringungshöcker (110) einen ersten Schmelzpunkt aufweisen und die erste, zweite, dritte und vierte Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) einen zweiten Schmelzpunkt aufweisen, wobei der zweite Schmelzpunkt höher liegt als der erste Schmelzpunkt und wobei die erste, zweite, dritte und vierte Oberflächenmontage-Anschlussfläche (132) eine trapezförmige Querschnittsform aufweisen;eine erste Mikro-Substrat-Durchkontaktierung (128A) und eine zweite Mikro-Substrat-Durchkontaktierung (128B), die sich von der ersten Oberfläche (118) zur zweiten Oberfläche (120) erstrecken, wobei die erste Mikro-Substrat-Durchkontaktierung (128A) konfiguriert ist, das erste passive Energiebauteil (106) mit einer ersten integrierten Schaltung (105) der mehreren integrierten Schaltungen (105) zu verbinden und wobei die zweite Mikro-Substrat-Durchkontaktierung (128B) konfiguriert ist, das zweite passive Energiebauteil (108) mit einer zweiten integrierten Schaltung (105) der mehreren integrierten Schaltungen (105) zu verbinden;eine über der zweiten Oberfläche (120) ausgebildete erste Umverdrahtungsschicht (124A), die konfiguriert ist, eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten passiven Energiebauteil (106) und der ersten Mikro-Substrat-Durchkontaktierung (128A) herzustellen, wobei das erste passive Energiebauteil (106) mit der ersten U