Verfahren zum Durchtrennen von Substraten und Halbleiterchip

Es wird ein Verfahren zum Durchtrennen eines Substrats (1) entlang eines Trennmusters (4) angegeben, bei dem ein Substrat (1) bereitgestellt und auf dem Substrat eine Hilfsschicht (3) aufgebracht wird, die das Substrat zumindest entlang des Trennmusters bedeckt. Das Substrat mit der Hilfsschicht wird bestrahlt, sodass Material der Hilfsschicht entlang des Trennmusters als Verunreinigung in das Substrat eindringt. Das Substrat wird entlang des Trennmusters gebrochen. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (15) angegeben. Disclosed is a method for separating a substrate (1) along a separation pattern (4), in which method a substrate (1) is provided and an auxiliary layer (3) is applied to the substrate, said layer covering the substrate at least along the separation pattern. The substrate comprising the auxiliary layer is irradiated, such that the material of the auxiliary layer penetrates the substrate along the separation pattern in the form of an impurity. The substrate is broken along the separation pattern. A semiconductor chip (15) is also disclosed.