HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM GRABEN IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

Eine Halbleitervorrichtung (100), umfassend:ein Halbleitersubstrat (110), wobei das Halbleitersubstrat (110) p-Typ-Dotanden und n-Typ-Dotanden aufweist, und wobei eine Konzentration der p-Typ-Dotanden unterhalb der Konzentration der n-Typ-Dotanden liegt;einen ersten Graben (115), der sich von einer ersten Seite (120) aus in oder durch das Halbleitersubstrat (110) erstreckt;eine Halbleiterschicht (125), die an der ersten Seite (120) an das Halbleitersubstrat (110) angrenzt, wobei die Halbleiterschicht (125) den ersten Graben an der ersten Seite (120) bedeckt; undeinen Kontakt (135) an einer der ersten Seite (120) gegenüberliegenden zweiten Seite (130) des Halbleitersubstrats (110), und wobeiein Konzentrationsprofil der n-Typ-Dotanden entlang einer zur ersten Seite (120) parallelen lateralen Richtung von einer Seitenwand des ersten Grabens (115) aus in das Halbleitersubstrat (110) hinein abnimmt. A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first trench in a semiconductor substrate from a first side, forming a semiconductor layer adjoining the semiconductor substrate at the first side, the semiconductor layer capping the first trench at the first side, and forming a contact at a second side of the semiconductor substrate opposite to the first side.