Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden eines Hohlraums (302) in einer Arbeitsoberfläche (301) eines Substrats (300), in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgebildet ist, wobei der Hohlraum (302) ein Gitter bildet, das sich längs Kerbbereichen des Substrats (300) erstreckt, und der Hohlraum (302) weiter als der Kerbbereich ist,Verbinden eines aus einem Glasmaterial (200a) gebildeten Glasstücks (200) mit dem Substrat (300) durch Glaspressen, wobei der Hohlraum (302) wenigstens teilweise mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt wird,Dünnen des mit dem Glasstück verbundenen Substrats (300) von einer Rückseite, die einer durch die Arbeitsoberfläche (301) definierten Vorderseite gegenüber liegt, undTrennen des Substrats (300) längs der Kerbbereiche, um eine Vielzahl von Halbleiterplättchen oder Halbleiterchips aus dem Substrat (300) zu erhalten, wobei jedes Halbleiterplättchen einen Glasrahmen oder eine Glaskappe, die aus dem Glasstück hervorgehen, umfasst. A semiconductor device includes a glass piece and an active semiconductor element formed in a single-crystalline semiconductor portion. The single-crystalline semiconductor portion has a working surface, a rear side surface opposite to the working surface and an edge surface connecting the working and rear side surfaces. The glass piece has a portion extending along and in direct contact with the edge surface of the single-crystalline semiconductor portion.