Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements mit einem Ablösen eines Resist nach einer Metallabscheidung
Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer über einem Substrat (10) mit einer oberen Oberfläche angeordneten Keimschicht (210); Ausbilden einer strukturierten Resistschicht (220) über der Keimschicht (210); Ausbilden von Metalllinien (...
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| Format: | Patent |
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| description | Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer über einem Substrat (10) mit einer oberen Oberfläche angeordneten Keimschicht (210); Ausbilden einer strukturierten Resistschicht (220) über der Keimschicht (210); Ausbilden von Metalllinien (230) auf nicht von der strukturierten Resistschicht (220) bedeckten Gebieten der Keimschicht (210); und Entfernen der strukturierten Resistschicht (220) unter Verwendung eines eine oxidierende Spezies und eine reduzierende Spezies umfassenden Plasmaprozesses. |
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