Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements mit einem Ablösen eines Resist nach einer Metallabscheidung

Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements mit einem Ablösen eines Resist nach einer Metallabscheidung

Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer über einem Substrat (10) mit einer oberen Oberfläche angeordneten Keimschicht (210); Ausbilden einer strukturierten Resistschicht (220) über der Keimschicht (210); Ausbilden von Metalllinien (...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stegemann, Maik
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CINEMATOGRAPHY
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer über einem Substrat (10) mit einer oberen Oberfläche angeordneten Keimschicht (210); Ausbilden einer strukturierten Resistschicht (220) über der Keimschicht (210); Ausbilden von Metalllinien (230) auf nicht von der strukturierten Resistschicht (220) bedeckten Gebieten der Keimschicht (210); und Entfernen der strukturierten Resistschicht (220) unter Verwendung eines eine oxidierende Spezies und eine reduzierende Spezies umfassenden Plasmaprozesses.