Leistungs-MOS-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst:einen ersten Drain-/Source-Kontaktanschluss (112), der über einer ersten Seite eines Substrats (104) gebildet ist, wobei der erste Drain-/Source-Kontaktanschluss (112) mit einem ersten Drain-/Source-Bereich (110) verbunden ist;einen zweiten Drain-/Source-Kontaktanschluss (102), der über einer zweiten Seite des Substrats (104) gebildet ist, wobei der zweite Drain-/Source-Kontaktanschluss (102) mit einem zweiten Drain-/Source-Bereich (124) verbunden ist; undeinen Graben (132), der zwischen dem ersten Drain-/Source-Kontaktanschluss (112) und dem zweiten Drain-/Source-Kontaktanschluss (102) gebildet ist, wobei der Graben (132) Folgendes umfasst:eine erste Gate-Elektrode (128);eine zweite Gate-Elektrode (128), wobeidie erste Gate-Elektrode (128) und die zweite Gate-Elektrode (128) in einem unteren Abschnitt des Grabens (132) gebildet sind;zwei Drain-Drift-Bereiche (122), die entlang von Seitenwänden eines oberen Abschnittes des Grabens (132) gebildet sind, wobei die unteren Bereiche der Drain-Drift-Bereiche (122) annähernd auf gleicher Höhe mit den oberen Abschnitten der Gate-Elektroden (128) angeordnet sind, undeine Feldplatte (116), die zwischen der ersten Gate-Elektrode (128) und der zweiten Gate-Elektrode (128) gebildet ist, wobei die Feldplatte (116) mit dem zweiten Drain-/Source-Bereich (124) elektrisch verbunden ist. A power MOS transistor comprises a drain contact plug formed over a first side of a substrate, a source contact plug formed over a second side of the substrate and a trench formed between the first drain/source region and the second drain/source region. The trench comprises a first gate electrode, a second gate electrode, wherein top surfaces of the first gate electrode and the second gate electrode are aligned with a bottom surface of drain region. The trench further comprises a field plate formed between the first gate electrode and the second gate electrode, wherein the field plate is electrically coupled to the source region.