Halbleiterbauelement

Halbleiterbauelement, umfassend:- einen Siliziumhalbleiterkörper (40) mit einer Hauptoberfläche (101) und umfassend eine Stickstoffkonzentration, die mindestens in einem ersten Abschnitt (41) des Siliziumhalbleiterkörpers (40) unter etwa 2*1014cm-3liegt, wobei sich der erste Abschnitt (41) von der H...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Irsigler, Peter, Schulze, Hans-Joachim
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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creator	Irsigler, Peter Schulze, Hans-Joachim
description	Halbleiterbauelement, umfassend:- einen Siliziumhalbleiterkörper (40) mit einer Hauptoberfläche (101) und umfassend eine Stickstoffkonzentration, die mindestens in einem ersten Abschnitt (41) des Siliziumhalbleiterkörpers (40) unter etwa 21014cm-3liegt, wobei sich der erste Abschnitt (41) von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, wobei die Stickstoffkonzentration mit einem Abstand von der Hauptoberfläche (101) mindestens in dem ersten Abschnitt (41) zunimmt, und wobei eine Sauerstoffkonzentration in einem zweiten Abschnitt (42) des Siliziumhalbleiterkörpers (40), der sich von der Hauptoberfläche (101) mindestens bis etwa zu einer ersten Tiefe erstreckt, unter etwa 31017cm-3liegt; und- eine Feldeffektstruktur, die benachbart zu der Hauptoberfläche (101) angeordnet ist, wobei das Halbleiterbauelement ein isoliertes leitendes Gebiet aufweist, das in einem vertikalen Graben angeordnet ist, der sich von der Hauptoberfläche (101) in den Siliziumhalbleiterkörper (40) bis zu der ersten Tiefe erstreckt. A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.
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A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 21014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. 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A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 21014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. 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A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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