Halbleiterbauelement

Halbleiterbauelement, umfassend:- einen Siliziumhalbleiterkörper (40) mit einer Hauptoberfläche (101) und umfassend eine Stickstoffkonzentration, die mindestens in einem ersten Abschnitt (41) des Siliziumhalbleiterkörpers (40) unter etwa 2*1014cm-3liegt, wobei sich der erste Abschnitt (41) von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, wobei die Stickstoffkonzentration mit einem Abstand von der Hauptoberfläche (101) mindestens in dem ersten Abschnitt (41) zunimmt, und wobei eine Sauerstoffkonzentration in einem zweiten Abschnitt (42) des Siliziumhalbleiterkörpers (40), der sich von der Hauptoberfläche (101) mindestens bis etwa zu einer ersten Tiefe erstreckt, unter etwa 3*1017cm-3liegt; und- eine Feldeffektstruktur, die benachbart zu der Hauptoberfläche (101) angeordnet ist, wobei das Halbleiterbauelement ein isoliertes leitendes Gebiet aufweist, das in einem vertikalen Graben angeordnet ist, der sich von der Hauptoberfläche (101) in den Siliziumhalbleiterkörper (40) bis zu der ersten Tiefe erstreckt. A semiconductor device includes a silicon semiconductor body having a main surface and a nitrogen concentration which is lower than about 2*1014 cm−3 at least in a first portion of the silicon semiconductor body, the first portion extending from the main surface to a depth of about 50 μm. The nitrogen concentration increases with a distance from the main surface at least in the first portion. The semiconductor device further includes a field-effect structure arranged next to the main surface.