Verfahren zum Reduzieren der Oberflächenrauigkeit einer Oberfläche aus Halbleitermaterial eines Substrats mit 3-D Strukturen

Verfahren zum Reduzieren der Oberflächenrauhigkeit einer Oberfläche aus Halbleitermaterial eines Substrats mit 3-D Strukturen, wie Finnen, wobei das Verfahren die Folgenden Schritte aufweist:Aufnehmen des die 3-D Strukturen aufweisenden Substrats in einer Prozesskammer;Einleiten eines Prozessgases aus reinem Wasserstoff oder einem Gemisch aus Wasserstoff und wenigstens einem der Folgenden: Argon, Helium und inertes Gas in die Prozesskammer;Erzeugen eines Plasmas aus dem Prozessgas benachbart zu oder an der Oberfläche des Substrats, wodurch Oberflächenrauhigkeiten reduziert werden,wobei das Plasma durch eine Vielzahl von stabförmigen Mikrowellenelektroden mit Innen und Außenleiter erzeugt wird, welche einer zu behandelnden Seite des Substrats gegenüberliegen.