Kupferpastenzusammensetzung und ihre Verwendung in einem Verfahren zum Bilden von Kupferleitern auf Substraten

Diese Erfindung betrifft eine Kupfer-Dickfilmpasten-Zusammensetzung, wobei die Paste Kupferpulver, eine Pb-freie, Bi-freie und Cd-freie Borosilicatglasfritte, eine Komponente, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Pulver auf Ruthenium-Basis, Kupferoxid-Pulver und Gemischen davon, sowie ein organi...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: LABRANCHE, MARC H
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Diese Erfindung betrifft eine Kupfer-Dickfilmpasten-Zusammensetzung, wobei die Paste Kupferpulver, eine Pb-freie, Bi-freie und Cd-freie Borosilicatglasfritte, eine Komponente, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Pulver auf Ruthenium-Basis, Kupferoxid-Pulver und Gemischen davon, sowie ein organisches Vehikel umfasst. Die Erfindung stellt ebenfalls Verfahren zur Verwendung der Kupfer-Dickfilmpasten-Zusammensetzung, um einen Kupferleiter auf einem Substrat herzustellen, bereit. Typische Substrate werden aus der Gruppe, bestehend aus Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid und Siliciumnitrid, ausgewählt. This invention relates to a copper thick film paste composition paste comprising copper powder, a Pb-free, Bi-free and Cd-free borosilicate glass frit, ruthenium-based powder, and an organic vehicle. The invention also provides methods of using the copper thick film paste composition to make a copper conductor on a substrate. Typical substrates are selected from the group consisting of aluminum nitride, aluminum oxide and silicon nitride.