Lithographieverfahren und Lithographievorrichtung für Bauteile und Schaltungen mit Strukturabmessungen im Mikro- und Nanobereich

Ein Lithographieverfahren und eine Lithographievorrichtung werden beschrieben, bei dem bzw. bei der ein von einer Rastersonde erzeugtes elektrisches Feld und/oder ein daraus resultierender Feldemissions-/Tunnel-/Faraday'scher- Strom zur Bearbeitung einer Resistschicht verwendet wird. Ferner wir...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HOFER, MANUEL, KÄSTNER, MARKUS, RANGELOW, IVO W
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM] BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR MEASURING MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ORIGINALS THEREFOR PERFORMING OPERATIONS PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Lithographieverfahren und eine Lithographievorrichtung werden beschrieben, bei dem bzw. bei der ein von einer Rastersonde erzeugtes elektrisches Feld und/oder ein daraus resultierender Feldemissions-/Tunnel-/Faraday'scher- Strom zur Bearbeitung einer Resistschicht verwendet wird. Ferner wird eine zweite strahlenbasierte oder nicht strahlenbasierte Lithographiemethode auch zur Bearbeitung der Resistschicht eingesetzt, wobei die Rastersonde zur Vor- und/oder Nachbearbeitung der Resistschicht verwendet wird. The invention relates to a lithography method and a lithography device, wherein an electric field created by a scanning probe and a field-emission/tunneling/Faraday electron flow resulting therefrom are used to create a fine structure of a resist layer. A rough structure of the same resist layer is created from the fine structure by means of a radiation-based lithography method or a non-radiation-based lithography method in the form of nanoimprint lithography. The rough structure and the fine structure are created directly in the same lithography area or overlapping. The device is designed in such a way that the position of the rough structure can be detected by means of the scanning probe and the fine structure can be aligned very precisely therewith. This enables a precise overlay of the fine structure with the rough structure.