3-Level-Stromrichterhalbbrücke

Die Erfindung betrifft ein 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei das erste Substrat (2) einen ersten Isolierstoffkörper (6a) und eine auf dem ersten Isolierstoffkörper (6a) angeordnete elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht (7a) aufweist, wobei auf der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) ein erster Leistungshalbleiterschalter (T1), ein zweiter Leistungshalbleiterschalter (T2), eine erste Diode (D1) und eine erste Diodenanordnung (10) angeordnet sind und mit der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) verbunden sind, wobei das zweite Substrat (3) einen zweiten Isolierstoffkörper (6b) und eine auf dem zweiten Isolierstoffkörper (6b) angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Leitungsschicht (7b) aufweist, wobei auf der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) ein dritter Leistungshalbleiterschalter (T3), ein vierter Leistungshalbleiterschalter (T4), eine zweite Diode (D2) und eine zweite Diodenanordnung (11) angeordnet sind und mit der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) verbunden sind. Die Erfindung schafft einen 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1, 1') mit reduzierten Schaltüberspannungen. The half-bridge (1) has load current terminals (C) of first and second power semiconductor switches (T1, T3) electrically conductively connected with respective cathode and anode terminals of a diode arrangement (11). Other load current terminals (E) of third and fourth power semiconductor switches (T2, T4) are electrically conductively connected with one of the former load current terminals of the second switch, and another anode terminal of another diode arrangement (10), respectively. An anode of a diode (D1) is electrically conductively connected with a cathode of another diode (D2). The power semiconductor switches are insulated gate bipolar transistors.