Photodetektor mit steuerbarer Spektralantwort

Photodetektor (1), der folgende Merkmale aufweist:ein Halbleitersubstrat (10), das eine Einstrahlungszone (26) aufweist, die dazu konfiguriert ist, ansprechend auf eine Einstrahlung des Halbleitersubstrats Ladungsträger zu erzeugen, die entgegengesetzte Ladungsträgertypen aufweisen; undeinen Inversionszonengenerator (12; 212), der dazu konfiguriert ist, in zumindest zwei Betriebszuständen zu arbeiten, um unterschiedliche Inversionszonen (22) in dem Halbleitersubstrat zu erzeugen, wobei sich eine in einem ersten Betriebszustand erzeugte erste Inversionszone von einer in einem zweiten Betriebszustand erzeugten zweiten Inversionszone unterscheidet und wobei die erste Inversionszone und die zweite Inversionszone unterschiedliche Ausdehnungen in dem Halbleitersubstrat aufweisen;wobei der Inversionszonengenerator (12; 212) in zumindest einem Graben angeordnet ist, der in dem Halbleitersubstrat (10) gebildet ist. A photodetector includes a semiconductor substrate having an irradiation zone configured to generate charge carriers having opposite charge carrier types in response to an irradiation of the semiconductor substrate. The photodetector further includes an inversion zone generator configured to operate in at least two operating states to generate different inversion zones within the substrate, wherein a first inversion zone generated in a first operating state differs from a second inversion zone generated in a second operating state, and wherein the first inversion zone and the second inversion zone have different extensions in the semiconductor substrate. A corresponding method for manufacturing a photodetector and a method for determining a spectral characteristic of an irradiation are also described.