VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung eingelegt...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: AUEN, KARSTEN, ENZMANN, ROLAND, DACHS, JUERGEN, ROZYNSKI, ANDREAS, GRAUL, MARKUS, HANEDER, STEPHAN, SWIETLIK, TOMASZ
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens. In a method for producing a laser diode, a number of laser diodes are produced on a wafer. The wafer is broken down into wafer pieces, each wafer piece having a plurality of laser diodes being arranged side by side. One wafer piece is inserted into a first mount that includes a first covering element overlapping a front face of the wafer piece and shadowing a bottom area of the front face of the wafer piece. A minor layer is deposited on an unshadowed upper area of the wafer piece's front face. The wafer piece is inserted into a second mount, which includes a second covering element that shadows the minor layer of the upper area of the front face. An electrically conductive contact layer is deposited on an unshadowed bottom area of the wafer piece's front face. The wafer piece is subsequently broken down into individual laser diodes.