Graphen- und Nanoröhrchen-/Nanodraht-Transistor mit einer selbstausgerichteten Gate-Elektrodenstruktur auf transparenten Substraten und Verfahren zur Herstellung desselben

Verfahren zum Herstellen einer Transistoreinheit, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:Bereitstellen eines transparenten Substrats;Bilden eines Kanalmaterials auf dem Substrat;Bilden einer Source- und einer Drain-Elektrode, die in Kontakt mit dem Kanalmaterial stehen;Abscheiden einer dielektrischen Schicht auf dem Kanalmaterial sowie auf der Source- und der Drain-Elektrode;Abscheiden eines Fotolacks auf der dielektrischen Schicht;Entwickeln des Fotolacks durch Belichten mit UV-Licht durch das transparente Substrat, wobei die Belichtung von Teilen des Fotolacks durch die Source- und die Drain-Elektrode verhindert wird;Entfernen entwickelter Teile des Fotolacks, wodurch Teile der dielektrischen Schicht freigelegt werden, wobei nicht entwickelte Teile des Fotolacks oberhalb der Source- und der Drain-Elektrode verbleiben;Abscheiden mindestens eines Gate-Elektrodenmetalls auf den freiliegenden Teilen der dielektrischen Schicht und den nicht entwickelten Teilen des Fotolacks; undEntfernen der nicht entwickelten Teile des Fotolacks zusammen mit Teilen des Gate-Elektrodenmetalls oberhalb des Source- und des Drain-Bereichs, wobei ein verbleibender Teil des Gate-Elektrodenmetalls zwischen den Elektroden des Source- und des Drain-Bereichs eine Gate-Elektrode der Einheit auf der dielektrischen Schicht oberhalb des Kanalmaterials bildet, die in Bezug auf die Source- und die Drain-Elektrode selbstausgerichtet ist. Transistor devices having a self-aligned gate structure on transparent substrates and techniques for fabrication thereof are provided. In one aspect, a method of fabricating a transistor device includes the following steps. A channel material is formed on a transparent substrate. Source and drain electrodes are formed in contact with the channel material. A dielectric layer is deposited on the channel material. A photoresist is deposited on the dielectric layer and developed using UV light exposure through the transparent substrate. A gate metal(s) is deposited on the exposed portions of the dielectric layer and the undeveloped portions of the photoresist. The undeveloped portions of the photoresist are removed along with portions of the gate metal over the source and drain regions to form a gate of the device on the dielectric layer over the channel material which is self-aligned to the source and drain electrodes.