Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements, welches Halbleiterbauelement Teil einer photovoltaische Solarzelle oder einer Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Solarzelle ist, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen mindestens einer Metallschicht auf eine Seite des Halbleiterbauelements, B Lokales Erhitzen zumindest der Metallschicht, derart, dass in einem lokalen Bereich kurzzeitig ein Aufschmelzen zumindest der Metallschicht erfolgt. Wesentlich ist, dass als Metallschicht eine Metallfolie verwendet wird und dass nach Verfahrensschritt B an einem Verfahrensschritt C die nicht verschmolzenen Bereiche der Metallfolie entfernt werden. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Bearbeitungstisch zur Durchführung solch eines Verfahrens. The invention relates to a method for locally making contact with a semiconductor component, said semiconductor component being part of a photovoltaic solar cell or of a preliminary stage in the process for producing a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: A applying at least one metal layer to one side of the semiconductor component, B locally heating at least the metal layer, in such a way that at least the metal layer is momentarily melted in a local region. It is essential that a metal foil is used as the metal layer, and that after method step B the non-melted regions of the metal foil are removed in a method step C. The invention furthermore relates to a processing table for carrying out such a method.