HALBLEITERVORRICHTUNG

Eine Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (10) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer Substratfläche (10a);eine Mehrzahl von Kanalbereichen (13) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die benachbart der Substratfläche (10a) angeordnet sind;eine Mehrzahl von ausgedünnten Bereichen (18) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die benachbart der Substratfläche (10a) angeordnet sind, wobei die ausgedünnten Bereiche (18) und die Kanalbereiche (13) in einer Richtung parallel zur Substratfläche (10a) derart angeordnet sind, dass wenigstens einer der ausgedünnten Bereiche (18) zwischen benachbarten Kanalbereichen (13) angeordnet ist;einen Emitterbereich (14) des ersten Leitfähigkeitstyps, der an einem Oberflächenschichtabschnitt eines jeden der Kanalbereiche (13) angeordnet ist;eine Lochstoppschicht (19) des ersten Leitfähigkeitstyps, welche in jedem der ausgedünnten Bereiche (18) angeordnet ist, um den ausgedünnten Bereich (18) in einen ersten Teil (18a) benachbart der Substratfläche (10a) und einen zweiten Teil (18b) benachbart einem Boden des ausgedünnten Bereichs (18) zu unterteilen;eine Emitterelektrode (21) in Verbindung mit dem Emitterbereich (14) und dem ersten Teil (18a);eine Kollektorschicht (23), welche in dem Halbleitersubstrat (10) an einer Position getrennt von den Kanalbereichen (13) und den ausgedünnten Bereichen (18) angeordnet ist; undeine Kollektorelektrode (24) in elektrischer Verbindung mit der Kollektorschicht (23), wobeidie Lochstoppschicht (19) eine Flächendichte von gleich oder weniger als 4,0 × 1012cm-2hat,die Kollektorschicht (23) teilweise eine Kathodenschicht (27) des ersten Leitfähigkeitstyps liefert,das Halbleitersubstrat (10) einen IGBT-Abschnitt (25), der als ein IGBT-Element dient, und einen Diodenabschnitt (26), der als ein Diodenelement dient, in einer Richtung parallel zur Substratfläche (10a) aufweist, wobei der IGBT-Abschnitt (25) durch einen Abschnitt definiert ist, der die Kollektorschicht (23) mit Ausnahme der Kathodenschicht (27) enthält, und der Diodenabschnitt (26) durch einen Abschnitt definiert ist, der die Kathodenschicht (27) enthält, undeine Flächendichte des ersten Teils (18a) gleich oder kleiner als 3,5 × 1012cm-2ist. A semiconductor device has a first conductivity-type semiconductor substrate, second conductivity-type channel regions, and second conductivity-type thinning-out regions. The channel regions and the thinning-out regions are formed adjacent to a substrate surface of the semiconductor substr