Verfahren zum Herstellen eines hybrid integrierten Bauteils

Verfahren zum Herstellen eines hybrid integrierten Bauteils (101; 102), mindestens umfassend- ein MEMS-Bauelement (100) mit einer mikromechanischen Struktur, welche eine oder mehrere federnd aufgehängte seismische Massen (13) aufweist,- eine mindestens eine Kappenschicht (30) aufweisende Kappe für die mikromechanische Struktur des MEMS-Bauelements (100) und- ein ASIC-Substrat (60);wobei die mikromechanische Struktur des MEMS-Bauelements (100) und die Kappe in einem Schichtaufbau, ausgehend von einem gemeinsamen Halbleiterwafersubstrat (10) gefertigt werden,wobei die mindestens eine Kappenschicht (30) auf eine erste Oberfläche des Halbleiterwafersubstrats (10) aufgebracht wird,wobei das Halbleiterwafersubstrat (10) nach dem Aufbringen der Kappenschicht (30) von seiner anderen zweiten Oberfläche (15) ausgehend prozessiert und strukturiert wird, um die mikromechanische Struktur des MEMS-Bauelements (100) sich über die gesamte Dicke des Halbleiterwafersubstrats (10) erstreckend in dem Halbleiterwafersubstrat (10) zu erzeugen und freizulegen, undwobei das prozessierte und strukturierte Halbleiterwafersubstrat (10) mit der zweiten Oberfläche (15) auf dem ASIC-Substrat (60) montiert wird. A simple and cost-effective manufacturing method for hybrid integrated components including at least one MEMS element, a cap for the micromechanical structure of the MEMS element, and at least one ASIC substrate, using which a high degree of miniaturization may be achieved. The micromechanical structure of the MEMS element and the cap are manufactured in a layered structure, proceeding from a shared semiconductor substrate, by applying at least one cap layer to a first surface of the semiconductor substrate, and by processing and structuring the semiconductor substrate proceeding from its other second surface, to produce and expose the micromechanical MEMS structure. The semiconductor substrate is then mounted with the MEMS-structured second surface on the ASIC substrate.