Lichtlaufzeitsensor

Lichtlaufzeitsensor (22) mit- mindestens einem Lichtlaufzeitpixel (23),- mit Modulationsgates (Garn, Gbm) in einem lichtempfindlichen Bereich,- und mit Akkumulationsgates (Ga, Gb) in einem lichtunempfindlichen Bereich, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtlaufzeitsensor (22) außerhalb der lichtempf...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Matt, Alexander, Biehler, Björn, Frey, Volker, Forster, Florian
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES MEASURING PHYSICS RADIO DIRECTION-FINDING RADIO NAVIGATION SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Lichtlaufzeitsensor (22) mit- mindestens einem Lichtlaufzeitpixel (23),- mit Modulationsgates (Garn, Gbm) in einem lichtempfindlichen Bereich,- und mit Akkumulationsgates (Ga, Gb) in einem lichtunempfindlichen Bereich, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtlaufzeitsensor (22) außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche (300), zumindest teilweise eine Absorptionsschicht (240) aufweist und wobei die Absorptionsschicht (240) eine geringe Lichtdurchlässigkeit aufweist. The light time sensor (22) comprises modulation gates (Gam,Gbm) that are arranged in a light sensitive region (300). The accumulation gates (Ga,Gb) are arranged in a light insensitive region. An absorbent layer is formed partially outside of the light sensitive regions.