Halbleiteranordnung für einen Stromsensor in einem Leistungshalbleiter

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung für einen Stromsensor in einem Leistungshalbleiter, die auf einem Substrat (1) eine Mehrfachanordnung von Transistorzellen (2) mit isolierter Gate-Elektrode umfasst, deren Emitteranschlüsse (10) in einem ersten Bereich (12) über eine erste leitfähige Schicht (16) mit wenigstens einem Ausgangsanschluss (25) verbunden sind und deren Emitteranschlüsse (10) in einem zweiten Bereich (13) über eine zweite leitfähige Schicht (17) mit wenigstens einem Sensoranschluss (18) verbunden sind, der außerhalb einer ersten Zellengebietsgrenze (14) angeordnet ist, die die Transistorzellen (2) des ersten Bereichs (12) und die Transistorzellen (2) des zweiten Bereichs (13) umschließt, wobei zwischen den Transistorzellen (2) des zweiten Bereichs (13) und dem Sensoranschluss (18) eine zur ersten Zellengebietsgrenze (14) gehörende Grabenstruktur ausgebildet ist, an die sich in Richtung zu einem Außenrand des Substrats (1) ein mit der ersten leitfähigen Schicht (16) verbundene dotierte Schicht (15) anschließt. A semiconductor system for a current sensor in a power semiconductor includes: on a substrate, a multiple arrangement of transistor cells having an insulated gate electrode, whose emitter terminals are connected in a first region via a first conductive layer to at least one output terminal and whose emitter terminals are connected in a second region via a second conductive layer to at least one sensor terminal, which is situated outside of a first cell region boundary, which encloses the transistor cells of the first region and the second region, a trench structure belonging to the first cell region boundary being developed between the transistor cells of the second region and the sensor terminal.