Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

In verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitervorrichtung aufweisen: einen Träger; einen über einer ersten Seite des Trägers angeordneten Halbleiterchip; einen Schichtstapel, der zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip und/oder über einer zweiten Seite des Trägers, die von dem Halbleiterchip abgewandt ist, ausgebildet ist, wobei der Schichtstapel zumindest eine erste elektrisch isolierende Schicht aufweist, wobei die erste elektrisch isolierende Schicht ein Laminat aufweist, das ein erstes elektrisch isolierendes Matrixmaterial und ein in dem ersten elektrisch isolierenden Matrixmaterial eingebettetes mechanisch stabilisierendes Material aufweist. In various embodiments, a semiconductor device may include: a carrier; a semiconductor chip disposed over a first side of the carrier; a layer stack disposed between the carrier and the semiconductor chip or over a second side of the carrier opposite the semiconductor chip, or both, the layer stack including at least a first electrically insulating layer, the first electrically insulating layer having a laminate having a first electrically insulating matrix material and a first mechanically stabilizing material embedded in the first electrically insulating matrix material.