Speichersysteme und Blockkopierverfahren davon

Verfahren zum Betrieb einer nicht-flüchtigen Speichervorrichtung (120, 220, 320, 3200, 620, 720, 730, 820, 830, 840, 20, 930, 110, 5200), wobei das Verfahren aufweist:das Durchführen von error checking and correction, ECC, Arbeitsabläufen an M Seiten von gelesenen Daten von einem ersten Anteil nicht-flüchtiger M-Bit Speicherzellen innerhalb der nicht-flüchtigen Speichervorrichtung(120, 220, 320, 3200, 620, 720, 730, 820, 830, 840, 20, 930, 110, 5200), um dadurch M Seiten an ECC-verarbeiteten Daten zu erzeugen, wobei M eine positive ganze Zahl größer als zwei ist; unddas Programmieren eines zweiten Anteils nicht-flüchtiger M-Bit Speicherzellen innerhalb der nicht-flüchtigen Speichervorrichtung (120, 220, 320, 3200, 620, 720, 730, 820, 830, 840, 20, 930, 110, 5200) mit den M Seiten an ECC-verarbeiteten Daten unter Verwendung einer adressverschlüsselten Reprogrammiertechnik;wobei die beschriebene adressverschlüsselte Reprogrammiertechnik aufweist: das Programmieren einer Vielzahl nicht-flüchtiger M-Bit Speicherzellen in eine jeweilige Vielzahl von Programmierzuständen und dann das Reprogrammieren der Vielzahl von nicht-flüchtigen M-Bit Speicherzellen, so dass Schwellspannungen der Vielzahl von nicht-flüchtigen M-Bit Speicherzellen verändert werden aber ihre jeweilige Vielzahl von Programmierzuständen unverändert bleibt. The method involves performing error checking and correction (ECC) workflow to specific pages of read data from a first portion of nonvolatile M-bit memory cells within the non-volatile memory device, to produce specific pages of ECC-processed data, where M is a positive integer greater than two. A second portion of the non-volatile M-bit memory cells is programmed with the ECC-processed data pages within the non-volatile memory device, using an address-encrypted reprogramming technology. An independent claim is included for a method for performing buffered copy operation in memory system.