Superstrat-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung

Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit:- Ausbilden einer vorderen Kontaktschicht (104) über einem Substrat (102), wobei die vordere Kontaktschicht (104) für spezifische Wellenlängen optisch transparent und elektrisch leitfähig ist;- Ritzen eines ersten geritzten Bereichs (112) durch die vorde...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: Yen, Wen-Tsai, Yu, Liang-Sheng, Lee, Wen-Chin, Chiu, Yung-Sheng
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit:- Ausbilden einer vorderen Kontaktschicht (104) über einem Substrat (102), wobei die vordere Kontaktschicht (104) für spezifische Wellenlängen optisch transparent und elektrisch leitfähig ist;- Ritzen eines ersten geritzten Bereichs (112) durch die vordere Kontaktschicht (104), um einen Teil des Substrats (102) freizulegen;- Ausbilden einer Pufferschicht (106), die mit einer n-Typ Dotierungssubstanz dotiert ist, über der vorderen Kontaktschicht (104) und dem ersten geritzten Bereich (112);- Ausbilden einer Absorberschicht (108), die mit einer p-Typ Dotierungssubstanz dotiert ist, über der Pufferschicht (106), wobei der erste geritzte Bereich (112) mit der Pufferschicht (106) und der Absorberschicht (108) aufgefüllt wird; und- Ausbilden einer hinteren Kontaktschicht (110), die elektrisch leitfähig ist, über der Absorberschicht (108), wobei die Pufferschicht (106) CdS, InxSey, In(OH)xSy, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnS(O,OH), ZnIn2Se4oder ZnMgO oder eine Kombination daraus umfasst und wobei die Absorberschicht (108) eine Kombination aus Hauptgruppen-I, III, VI-Elementen des Periodensystems umfasst. A method of fabricating a solar cell includes forming a front contact layer over a substrate, and the front contact layer is optically transparent at specified wavelengths and electrically conductive. A first scribed area is scribed through the front contact layer to expose a portion of the substrate. A buffer layer doped with an n-type dopant is formed over the front contact layer and the first scribed area. An absorber layer doped with a p-type dopant is formed over the buffer layer. A back contact layer that is electrically conductive is formed over the absorber layer.