Verfahren zur Ausbildung geschlossener flächiger Schichten aus Graphen auf der Oberfläche eines Substrats und mit dem Verfahren beschichtetes Substrat

Verfahren zur Ausbildung geschlossener flächiger Schichten aus Graphen auf der Oberfläche eines Substrats, bei dem unter Vakuumbedingungen durch eine zwischen einer Anode (2) und einer Kathode (1), die aus Graphit gebildet ist, elektrische Bogenentladungen gezündet und betrieben werden, dabei wird e...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Siemroth, Peter, Dr, Schrader, Sigurd, Prof. Dr, Lux, Helge, Dipl.-Ing
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zur Ausbildung geschlossener flächiger Schichten aus Graphen auf der Oberfläche eines Substrats, bei dem unter Vakuumbedingungen durch eine zwischen einer Anode (2) und einer Kathode (1), die aus Graphit gebildet ist, elektrische Bogenentladungen gezündet und betrieben werden, dabei wird ein Plasma gebildet von dem einfach geladene Kohlenstoffionen durch ein Filter zur Separation größerer Partikel auf eine Oberfläche des Substrats (9) gerichtet werden und eine Schicht aus Kohlenstoff in der Graphenmodifikation dadurch ausgebildet wird, dass mit den Kohlenstoffionen eine Massenbelegung an Kohlenstoffatomen auf der Substratoberfläche ausgebildet wird, die größer als eine Atomlage ist und maximal dem 1,5-fachen einer Atomlage von Graphen entspricht, wobei die Substratoberfläche aus einem aus dielektrischen Werkstoff gebildeten Substrat (9) oder einer dielektrischen Beschichtung, die auf dem Substrat (9) ausgebildet ist, gebildet ist, und eine Zusatzbehandlung der auf der Substratoberfläche ausgebildeten Kohlenstoffschicht mit einem Energieeintrag durchgeführt wird und/oder die effektive Energie, mit der Kohlenstoffionen auf die Substratoberfläche auftreffen, vor dem Auftreffen auf die Oberfläche des Substrats (9), durch Einhaltung einer inerten Atmosphäre und/oder die Kohlenstoffionen mit einem Winkel kleiner-gleich 80° in Bezug zur Substratoberfläche auf die Substratoberfläche gerichtet werden, reduziert wird und die Graphenschicht mit einer maximal zulässigen Abweichung von 20% einer Monolage ausgebildet wird.