Doppelschichtmetall- (DLM) Leistungs-MOSFET

Dieses Dokument bespricht unter anderem ein Halbleiterbauteil bzw. eine Halbleitervorrichtung, die eine erste mit einem Sourcebereich verbundene Metallschicht und eine zweite mit einer Gatestruktur verbundene Metallschicht enthält und bei der sich wenigstens ein Teil der ersten und der zweiten Metal...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KINZER, DANIEL M, DIKSHIT, ROHIT, GRUENHAGEN, MICHAEL D, SESSION, FRED, YEDINAK, JOSEPH A, SODHI, RITU, REXER, CHRISTOPHER L, PETERSEN, TRACIE, RINEHIMER, MARK L
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dieses Dokument bespricht unter anderem ein Halbleiterbauteil bzw. eine Halbleitervorrichtung, die eine erste mit einem Sourcebereich verbundene Metallschicht und eine zweite mit einer Gatestruktur verbundene Metallschicht enthält und bei der sich wenigstens ein Teil der ersten und der zweiten Metallschicht einander vertikal überlappen. This document discusses, among other things, a semiconductor device including a first metal layer coupled to a source region and a second metal layer coupled to a gate structure, wherein at least a portion of the first and second metal layers overlap vertically.