Vorrichtung zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats

Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle beschrieben. Eine Bestimmung der Temperatur des Substrats basiert auf der Detektierung von ersten und zweiten Strahlungen, die jeweils eine Temperaturstrahlung des Substrats und unterschiedliche Anteile an am Substrat reflektierter Strahlung der ersten Strahlungsquelle aufweisen, sowie einer Ansteuerleistung der wenigstens einen ersten Strahlungsquelle und/oder einer Strahlungsintensität derselben. An apparatus and a method for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor substrate during the heating thereof by means of at least one first radiation source are disclosed. A determination of the temperature is based on detecting first and second radiations, each comprising radiation emitted by the substrate due to its own temperature and radiation emitted by the first radiation, which is reflected at the substrate and at least one of a drive power of the first radiation source and the radiation intensity of the first radiation source.